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MM32F0010A1T的功能和闪存的主要功能

MM32F0010A1T的工作电压为2.0V〜5.5V,工作温度范围(环境温度)为-40°C〜85°C常规型和-40°C〜105°C扩展型(V)。多种节能操作模式确保了低功耗应用的需求。提供TSSOP20封装表格。 Smart Micro MM32F0010A1T与意法半导体STM8S003F3P6兼容。聪明的总代理应商微电子可以提供开发板测试和例行支持。 MM32F0010A1T封装引脚MM32F0010A1T特性:高性价比的首选·替代8位的最佳解决方案; 20PIN小包装·简单大方;高速M0核心·开发更高效;高精度ADC·多达8个通道; 6组PWM输出·具有死区功能;丰富的串行端口新选择。闪存的主要功能•闪存最多16K字节•内存结构:–主闪存模块:最多4K字(4K×32位)–信息模块:*系统内存:最多1K字节(1K×8位) )*选项字节:最多2×8字节的闪存接口功能:•带有预取缓冲器的数据接口(2 x 32位)•选择字节加载器•闪存编程/擦除操作•访问/写保护•低功耗该模式下的内置SRAM具有最大2K字节的静态SRAM。可以按字节(8位),半字(16位)或字(32位)进行访问。 SRAM的起始地址为0x20000000。 •数据总线上最多2K字节的SRAM。 CPU可以使用最快的系统时钟对其进行访问,而无需插入任何等待。 q