MM32F0010A1T的功能和闪存的主要功能

MM32F0010A1T的工作电压为2.0V〜5.5V，工作温度范围（环境温度）为-40°C〜85°C常规型和-40°C〜105°C扩展型（V）。多种节能操作模式确保了低功耗应用的需求。
提供TSSOP20封装表格。 Smart Micro MM32F0010A1T与意法半导体STM8S003F3P6兼容。
聪明的总代理应商微电子可以提供开发板测试和例行支持。 MM32F0010A1T封装引脚MM32F0010A1T特性：高性价比的首选·替代8位的最佳解决方案； 20PIN小包装·简单大方；高速M0核心·开发更高效；高精度ADC·多达8个通道； 6组PWM输出·具有死区功能；丰富的串行端口新选择。
闪存的主要功能•闪存最多16K字节•内存结构：–主闪存模块：最多4K字（4K×32位）–信息模块：*系统内存：最多1K字节（1K×8位） ）*选项字节：最多2×8字节的闪存接口功能：•带有预取缓冲器的数据接口（2 x 32位）•选择字节加载器•闪存编程/擦除操作•访问/写保护•低功耗该模式下的内置SRAM具有最大2K字节的静态SRAM。可以按字节（8位），半字（16位）或字（32位）进行访问。
SRAM的起始地址为0x20000000。 •数据总线上最多2K字节的SRAM。
CPU可以使用最快的系统时钟对其进行访问，而无需插入任何等待。 q