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美国美光科技开始加速EUV DRAM

美国的Micron Technology开始加快EUVDRAM的速度。加入由三星电子和SK Hynix等世界第一和第二EUV制造商选择的EUV营地之后,随后的EUV竞争可能会变得更加激烈。根据韩国媒体etnews的报道,美光科技已开始通过多个网站招聘EUV设备开发工程师。美光的公告显示,该公司正在招募负责开发美光EUV设备扫描仪技术,EUV系统管理以及与ASML通信的人才。工作地点是爱达荷州博伊西市(Micron)的总部。美光公司是全球第三大DRAM制造商,其全球市场份额仅次于三星电子和SK海力士。本月初,由于一小时的停电,美光的台湾DRAM工厂也停止了生产。截至第三季度,良好的表现吸引了业界的关注。在NandFlash领域,它还率先发布了世界上第一个176层产品。美光在全球DRAM市场中排名第三,仅次于三星电子和SKHynix。其市场份额约为20%。美光最近在NAND闪存领域推出了其首个176层产品。与其他顶级DRAM制造商一样,该公司正在生产10nm第三代(1z)产品。该芯片制造商有望在2021年上半年推出第四代(1a)DRAM。但是,美光与三星电子和SK海力士之间的主要区别在于美光不会将EUV技术应用于1aDRAM。美光公司在最近的一份声明中建议,它甚至可能不会将EUV技术应用于下一代DRAM“ 1-beta”闪存。产品由于成本高昂和技术局限性。美光公司副总裁Scott DerBauer表示,该公司将在1-delta产品的生产中引入EUV工艺。