OF：BenabadjiMohammedSalim更好的选择是使用专用的IC控制器与电池电源相连。对于诸如LT4351（参考文献3）之类的器件，由于镇流MOSFET晶体管的Rdson非常低，因此产生的正向压降仅为数十毫伏（mV）。但是，与下面的简单分立解决方案相比，这种类型的专用IC通常很昂贵，而且很难找到。当我设计一个需要长期使用并希望提高其整体效率的超低功耗便携式数据记录器时，图1中的电路至关重要。图1：对于电力线或应用，与二极管方法相比，这种简化的分立电路可以提高效率。下面给出简要描述。如果有主电源（Vin1），则N沟道MOSFET晶体管T3将导通，然后P沟道MOSFET T2的栅极将被下拉以导通T2。晶体管T1看到的栅极-源极电压（Vgs）是T2的漏极-源极电压（Vds），仅为数十mV。因此，T1闭合，外部电源路径（Vin2）处于断开状态。现在，在断续的Vin1断电的情况下，由于T3的栅极被R1拉低，因此T3断开，并且T1导通。晶体管T2截止，因为其栅极被R2上拉（T2的Vgs几乎为零）。 MOSFETT1和T2应该选择低电平栅极类型，并具有超低的导通电阻特性（例如：T1 = T2 = PMN50XP [参考文献4]，当Vgs = 3.3V时，其Rdson为60mΩ）。晶体管T3可以使用流行的2N7000（或表面贴装设备2N7002）。当使用主电源时，电路的静态电流约为20μA，否则几乎为零。因此，电池适合作为外部电源。 R1和R2的值并不重要。如果要获得非常低的静态电流，则可以选择数百kΩ的静态电流。如果要减少输入电源之间的换向时间，可以将它们选择为数十kΩ。 Benabadji Mohammed Salim正在阿尔及利亚的奥兰科技大学攻读计算机科学硕士学位。参考文献Fundament AlsofpowersystemORing，EDN的MartinPatoka，2007年3月21日Useopampstomake自动ORing的功率选择器，Bob Zwicker，EDN的2011年8月11日LT4351MOSFET二极管-OR控制器，LinearTechnologyCorporationPMN50XPP-channelTrenchMOSextremelylow-levelfors，2007