阅读本文之后，您仍然不知道晶体和晶体振荡器之间的区别。对于晶体振荡器，还有两个更重要的参数：频率偏移和温度偏移。单位均为PPM。用外行的话来说，晶体振荡器的标称频率并不总是稳定的，在某些环境下晶体频率会有误差。误差越大，电路的稳定性越差，甚至电路也无法正常工作。因此，在设计PCB时，晶体振荡器的布局尤为重要。需要注意以下几点。将两个匹配电容器放置在尽可能靠近晶体振荡器的位置。晶体振荡器由石英晶体组成，很容易受到外部冲击或跌落的影响。因此，最好不要在布局过程中将其放置在PCB的边缘，并使其尽可能靠近芯片。晶体振荡器的走线需要用GND保护，并远离敏感信号，例如RF，CLK信号和高速信号。在某些晶体振荡器的PCB设计中，相邻层被挖空（间隙）或同一层，相邻层经过间隙处理。第三层需要具有完整的接地层。这样做的原因是要保持恒定的负载电容。用于计算晶体振荡器的负载电容的公式为：CL = C1 * C2 /（C1 + C2）+ Cic + CpCic是集成电路的内部电容，Cp是PCB板的寄生电容。如果寄生电容太大，则负载电容会太大。这将导致晶体频率偏差。此时，减少匹配电容器C1和C2可能会改善它，但这也是治疗症状的一种措施，而不是根本原因。当晶体的相邻层被挖空时，如何控制寄生电容Cp？电容的物理公式为：C =εS/4πKd，即面积S和晶体焊盘与相邻接地平面之间的距离d将影响寄生电容。因为面积S是恒定的，所以影响寄生电容的唯一因素是距离d。通过挖空晶体振荡器同一层的接地和相邻层的接地，可以增加晶体振荡器焊盘与接地平面之间的距离，从而达到减小寄生电容的效果。电容值和物理量之间的关系仅作说明。对于随后的4层板，晶体振荡器位于顶层。清除顶层和相邻层后，晶体振荡器相对于接地层（L3）。在净空之前，此距离d增加，即，寄生电容将减小。晶体振荡器的L1和L2层均处理间隙。晶体振荡器的放置位置必须远离热源，因为高温也会影响晶体振荡器的频率偏差。我们知道，晶体振荡器附近的相邻挖空处理一方面是要保持恒定的负载电容，而主要原因是要隔离热传导，以防止传导周围的PMIC或其他加热元件的热量通过铜皮到达晶体振荡器，从而产生频率。相反，故意地，净空没有被铜覆盖以隔离热传递。温度为什么会影响晶体频率？当晶体加热或降低到一定温度然后降低到室温时，室温下的初始测试会有一定的变化。这是由于晶体的热滞后引起的。温度补偿的TCXO的精度将相对较高。较少，可以有效地解决晶体温度漂移，但通常TCXO超过M级，几KHz，受生产工艺的限制。