华虹半导体最近推出了一个90nm超低泄漏嵌入式闪存技术平台，以帮助大容量MCU解决方案。全球领先的特殊工艺纯晶圆代工厂商华虹半导体有限公司最近宣布了最新的90nm超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器存储器（EEPROM）技术平台可满足大容量微控制器（MCU）的需求。作为华虹半导体0.11微米超低漏电技术的延续，该工艺平台为客户提供具有竞争力的差异化解决方案，具有更低的功耗和成本，并且适用于物联网，可穿戴设备，工业和汽车电子等应用程序的各个方面。华虹半导体新推出的90nm超低漏电嵌入式闪存技术平台1.5V核心N型和P型MOS晶体管的漏电达到0.2pA /μm，可以有效地延长MCU器件的待机时间。该平台的嵌入式非易失性存储器（eNVM，EmbeddedNon-VolatileMemory）IP具有独特的优势，例如100,000至500,000的擦除和写入时间以及30ns的读取速度。同时，逻辑单元库是高度集成的，达到400Kgate / mm2以上，可以帮助客户以多种方式减少芯片面积。该处理平台的最大优势是集成了公司自己的专利分离门NORD嵌入式闪存技术。在90纳米工艺下，它具有业界最小的单元尺寸和最小的嵌入式NORflashIP，并具有少量的掩模层。帮助客户进一步降低MCU制造成本的优势，特别是大容量MCU产品。该平台还支持射频（RF），eFlash和EEPROM。华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士说：“公司致力于创新和不断优化差异化技术，为客户提供最迫切需要和最具成本效益的工艺和技术服务。在完善8英寸平台的同时，将加快12英寸生产线的产能扩充和技术研发。物联网和汽车电子产品是MCU应用的增量市场。 90纳米超低泄漏嵌入式闪存技术平台的推出，进一步扩展了华虹半导体在功耗市场应用领域中超低OEM选项的MCU客户群。” （资料来源：华洪宏利）