英飞凌的OptiMOS™源极底部安装功率MOSFET系列在PQFN封装中新增加了40 V器件

[德国慕尼黑，2020年11月3日]现代电源系统设计要求高功率密度级别和紧凑尺寸，以实现最高的系统级别性能。英飞凌科技有限公司已通过重点加强组件产品以实现系统创新来应对这一挑战。
在2月推出25 V器件之后，英飞凌推出了OptiMOS™40 V低压功率MOSFET，该器件采用Source-Down（SD，Source-Down）PQFN封装，尺寸为3.3mm x 3.3 mm 。该40 V SD MOSFET适用于SMPS，电信和服务器的OR-ing。
它还适用于电池保护，电动工具和充电器等应用。 OptiMOS SD 40 V低压功率MOSFET有两个版本：标准版本和中心栅极版本。
中央网格版本针对多个设备的并行操作进行了优化。源底部安装（SD）PQFN封装的器件尺寸为3.3mm x 3.3mm，可将RDS（on）大大减小25％，并且接口与外壳之间的热阻RDS（on）也已减小。
大大改善了。 SD封装的内部使用倒置芯片。
这样，可以通过导热垫将源极电势（而不是漏极电势）连接到PCB。与现有技术相比，该版本最终可以将RDS（on）降低25％。
与传统的PQFN封装相比，结与外壳之间的热阻（RthJC）也得到了极大的改善。 SD OptiMOS可以承受高达194 A的高连续电流。
此外，优化的配置可能性和更有效的PCB利用率可提供更大的设计灵活性和出色的性能。供货情况OptiMOS SD 40 V低压功率MOSFET有两个版本：标准版本和中央电网版本。
中央网格版本针对多个设备的并行操作进行了优化。两种版本均采用PQFN 3.3mm x 3.3mm封装，并已开始接受订单。