三星将推出5nm Exynos 2100芯片:更高的性能和更低的能耗

众所周知,Exynos 2100将采用5nm工艺制造,这意味着将在芯片中安装更多晶体管,以实现更高的性能和更低的能耗。新闻专家MauriQHD(@MauriQHD)在周六发布的推文中提到,三星将随时推出下一代Exynos芯片组。
根据Twitter的内容,Exynos 2100将是Exynos 990的继任者。最近在Geekbench测试中显示的数据表明,运行在三星Galaxy S21 +上的Exynos 2100的单核得分为1038,多核得分为3060。
MauriQHD在他的推文中还提到Exynos 2100应该“更好”。比Exynos 990还要多。
考虑到后者是使用7nm EUV工艺制造的,因此与5nm Exynos 2100相比有望实现这一目标。此外,中国移动此前曾报道三星S21系列将推出Note系列的标志性配件-S Pen 。
如果这个消息是真的,那么这将是S系列第一次配备手写笔。 Exynos 2100 SoC最有可能在三星Galaxy S21系列上首次亮相,其中可能包括三星Galaxy S21,Galaxy S21 +和Galaxy S21 Ultra。
如果三星坚持这一传统,Exynos 2100将为绝大多数Galaxy S21系列型号提供性能保证。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: tao@jepsun.com

产品经理: 陆经理

QQ: 2065372476

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • 0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析:性能、应用与选型指南 引言在现代电子系统设计中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域,选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 0.5A低功耗系统中的高性能组件搭配:揭秘SSXO与低Rds(on) MOS管的黄金组合 0.5A低功耗系统中的高性能组件搭配:揭秘SSXO与低Rds(on) MOS管的黄金组合在追求极致能效与可靠性的电子系统中,0.5A级别的电源管理常被视为“精雕细琢”的领域。本文将聚焦于展频晶体振荡器(SSXO)与低导通电阻MOS管的完美匹...
  • SMD芯片封装技术解析:0.6X0.3mm与1.6X0.8mm尺寸的性能对比与应用优势 引言随着电子设备向小型化、高集成度方向发展,表面贴装器件(SMD)在现代电路设计中扮演着至关重要的角色。其中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 Chip SMD-1.6X0.8mm 是两种广泛应用的微型封装类型。本文将从尺寸、电气性能、应用场景及制...
  • 深入解析:0-40V N MOS vs PMV0402-5R0E100 与 PVR10D 的电气特性差异 核心差异:从电气参数看技术定位在实际工程应用中,仅看“电压范围”不足以判断器件优劣。以下从关键电气参数出发,深度剖析三款产品的本质区别。一、关键参数对比表 参数 0-40V N MOS PVR10D PMV0402-5R0E100 最大...
  • 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
  • 电阻精密度1%能代0.1%吗? 不能!其实,对于不是搞计量的不需要分的那么清楚,可以大体上认为高精密、高准确、低误差等是一个意思。但是,对于“精度”一词,可以分解成分解成三个要素:&nbsp;1 、温度系数:温度变化是电阻的大敌,温度系数一...
  • 100V N沟道MOS管详解:高效低功耗设计的理想之选 100V N沟道MOS管的技术特点与优势相较于400V型号,100V N沟道MOS管更适用于中低压电子系统,广泛应用于消费类电子产品、LED驱动、电池管理系统(BMS)和小型电机控制等领域。其核心参数如下:• 额定漏源电压(VDS):100V• 栅极...
  • 深入解析:如何根据系统需求选择合适的N MOSFET?40-300V vs 0-40V 为什么不同耐压范围的N MOSFET适用于不同领域?在现代电子系统中,正确选型N MOSFET是保障系统稳定性与效率的关键。本文以40-300V与0-40V两个典型范围为例,深入剖析其技术差异与选型逻辑。1. 工作电压决定耐压选型系统输入电压...
  • 从0.6X0.3mm到1.6X0.8mm:SMD芯片封装发展趋势与选型指南 前言在电子元器件不断向微型化、高性能演进的背景下,SMD(Surface Mount Device)芯片封装成为连接硬件创新与量产落地的关键环节。本文聚焦于两款极具代表性的封装规格——Chip SMD-0.6X0.3mm 与 Chip SMD-1.6X0.8mm,深入探讨其技术特征...
  • 接近开关WSC1808-N:高性能与广泛应用 接近开关WSC1808-N是一款高性能的感应设备,它主要应用于自动化控制系统中,用于非接触检测物体的存在或位置。这款接近开关具有体积小巧、安装方便的特点,同时具备较高的检测精度和快速响应时间,能够在各种工业环境中...
  • N沟道MOS管8V至29V低压高效解决方案:节能与紧凑设计新趋势 N沟道MOS管8V至29V:低压高效率的理想之选随着便携式设备、物联网传感器和低功耗嵌入式系统的快速发展,8V至29V范围的N沟道MOS管凭借其低电压适配性、高效率和小尺寸封装,正成为新一代电源管理方案的核心元件。1. 适配主流...
  • 意大利SIRAI A225-7/N液位开关:高性能与可靠性的典范 意大利SIRAI生产的液位开关是一种高质量的工业设备,被广泛应用于各种液体的检测与控制。其中,型号为A225-7/N的液位开关尤其受到用户的青睐。这款液位开关以其卓越的性能和可靠性著称,在工业自动化领域扮演着重要角色。...
  • 现货SMC压力开关ISE30A-01-N-L: 高性能与可靠性的结合 现货供应的SMC压力开关ISE30A-01-N-L是一种高性能的自动化控制元件,广泛应用于各种工业领域。这款压力开关具备精确的压力检测功能,能够在系统压力达到预设值时迅速做出反应,从而实现对机械设备的有效控制。ISE30A-01-N-L型号...
  • 0.5A低Rds(on) MOS管如何优化电源管理系统性能 低Rds(on) MOS管在电源管理中的关键价值随着电子产品对能效要求日益提高,0.5A低导通电阻(Rds(on))MOS管已成为高性能电源管理模块的核心元件。其核心优势在于显著降低导通损耗,从而提升整体系统效率。1. Rds(on)参数详解Rds(on)...
  • MOELLER开关 204992 STN1,0(400/230):高性能与可靠性的结合 MOELLER开关 204992 STN1,0(400/230) 是一款高质量的电气设备,广泛应用于工业自动化领域。该型号的开关具有出色的性能和可靠性,能够在各种恶劣环境下稳定运行。其额定电压为400/230V,这意味着它可以在两种不同的电压系统中使用...
  • 压力开关PSF100A-0.5:高精度与可靠性的工业解决方案 压力开关PSF100A-0.5是一款精密设备,用于监测和控制各种工业应用中的压力水平。这款产品以其高精度和可靠性而著称,适用于多种环境条件下使用。PSF100A-0.5的设计使其能够精确地检测到最小的压力变化,并及时作出反应。这种...