在过去的一年中,Apple用户在解锁iPhone的过程中一直苦不堪言。由于采用了FaceID解锁机制,当全屏iPhone用户外出并戴着外部面具时,他无法致电前3D红外传感器来解锁面部。
他们只能一次又一次地输入密码,就好像他们八年前回到了青年时代一样。推出配备指纹识别功能的iPhone5s。
查看隔壁使用屏幕下方指纹的Android用户。用拇指向上和向上,可以轻松解锁手机。
心理差距很大。即使面对非全屏iPhone用户(例如iPhone 8Plus),他们也只能羞愧地低下头。
今年春天,全屏iPhone用户将迎来春天。在iOS14.5的最新Beta版本中,用户可以通过AppleWatch解锁iPhone。
当然,前提是您拥有AppleWatch。 AppleWatch 3解锁iPhone的条件要使用AppleWatch解锁iPhone,您需要在两个设备上都更新到WatchOS7.4和iOS14.5。
当前,这两个系统仍处于第二Beta版本,但与第一版本相比已经稳定了很多。想要尝试新事物的用户可以登录并在AppleBeta软件计划中使用AppleID注册,下载并安装描述文件,然后更新系统并重新启动设备。
当一切准备就绪时,请转到iPhone的“设置”-“ FaceID和密码”,找到并打开“使用AppleWatch解锁”。切换后,您就可以告别手动输入密码的过去了。
Apple在此功能上保持一致的严格逻辑,并且需要同时满足三个条件才能使用AppleWatch解锁iPhone:解锁iPhone时,会检测到用户戴着口罩。 FaceID比使用AppleWatch解锁更安全,并且优先级自然更高。
如果可以使用FaceID,则应该首先使用FaceID,这是合理的。 AppleWatch和iPhone不能相距太远。
在初步测试中,无法使用约3米的AppleWatch解锁iPhone,这基本上是从座椅到浴室的最短距离。它完美地避免了您将AppleWatch戴到浴室再回来的悲剧,而领队则在您的手机上读取了聊天记录。
AppleWatch已戴在手上,并且已解锁。如果尚未解锁AppleWatch或将其保持在最密不可分的位置(即充电器),iPhone会提醒您先解锁AppleWatch,然后再使用AppleWatch解锁iPhone(玩偶警告)。
振动加提醒,以消除可能的安全隐患。如果满足上述三个条件-您戴着口罩和在您一定距离内的未锁定AppleWatch,则可以实现此“触摸”操作。
功能。从那时起,iPhone用户可以在机场出口的闸门旁边,显示健康代码的购物中心入口,支付QR代码的展位以及摇摇欲坠的公交车上自由解锁它,并且像所有Android手机用户一样顺畅。
再次锁定屏幕,再次解锁,然后锁定屏幕...如果来自苹果的礼物不足以让您打开和打开,则每次解锁时,AppleWatch都会提示您“ iPhone已被此AppleWatch解锁”,然后致电占电池一半的TapticEngine,以提供清晰灵敏的振动反馈(您知道为什么总是需要给AppleWatch充电)。只有一种情况,就是您戴着未锁定的AppleWatch,而其他戴着口罩的人距离您不到3米。
此时,Ta可以解锁您的手机。如果没有掩码,则将首先调用FaceID,然后判断失败,并且AppleWatch将不会解锁。
此时,AppleWatch的振动提示将起作用。点击“锁定iPhone”在AppleWatch屏幕底部,可以立即锁定iPhone。
即使您再次摘下面具以解锁iPhone,也需要重新输入密码。基本上消除了安全隐患的可能性。
自去年以来,许多iPhone用户呼吁苹果减少FaceID安全策略,以提高戴口罩时解锁手机的效率。苹果一直保持听取用户建议的一致风格,因此没有采用。
相反,它在识别到用户戴着口罩时使用机器学习算法来加快密码字段的显示,从而方便用户手动输入密码。也有许多技术博客作者发表了教程,教您如何使用iPhone的机器学习算法,使其戴着面具并“识别”自己并解锁。
这可以说是早期人们驯服手机的珍贵视频。如果您碰巧有一台配备“富鳍”的Mac
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 汤经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- 气压开关三P-10:功能、应用及重要性 在细致探讨气压开关三P-10的功能与应用之前,我们先来了解其基本构造。气压开关三P-10是一种精密设备,主要用于监控和控制气压系统中的压力变化。这种开关的设计目的是为了确保机械设备的安全运行,通过检测压力的变化来...
- 德国P+F接近开关:工业自动化中的关键组件 德国P+F接近开关是工业自动化领域中不可或缺的一部分,它们被广泛应用于各种机械设备和生产线上,以实现非接触式的物体检测。这种传感器通过电磁场或射频技术来识别目标物体,无需与物体直接接触即可检测其存在与否,...
- 德国P+F电感式接近开关:工业自动化的关键组件 德国P+F(*福)是一家在传感器技术和自动化领域享有盛誉的公司。其电感式接近开关作为产品线中的重要一员,在工业自动化控制领域扮演着关键角色。这种类型的接近开关利用电磁感应原理来检测金属物体的存在与否,无需与目...
- P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性,与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...
- P沟道MOS管30V参数及应用实例 在电子工程领域中,P沟道MOS管因其独特的电气特性而被广泛应用于各种电路设计中。其中,电压等级达到30V的P沟道MOS管更是因其出色的性能,在高压应用场合中扮演着重要角色。下面将详细介绍这种器件的主要参数及其典型应用...
- P沟道MOS管100V参数及应用领域 在电力电子和模拟电路设计中,P沟道MOS管是一种非常重要的半导体器件,尤其适用于高压环境下的应用。P沟道MOS管100V型号意味着其能够承受的最大电压为100伏特,这使得它在许多需要高电压切换或调节的应用中表现出色。接下...
- 德国福P+F接近开关:自动化控制领域的高效解决方案 德国福P+F公司是世界著名的传感器制造商之一,其生产的接近开关在自动化控制领域拥有极高的声誉。福P+F接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到目标物体的存在,这不仅减少了机械磨损,还大大提...
- P沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和电源管理领域,P沟道MOS管因其高效能和低损耗特性而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,比如某些直流-直流转换器、电机驱动系统或电池管理系统等,选择合适的P沟道MOS管显得尤为重要。针对您提到...
- P沟道MOS管工作电压范围8V到29V的应用与选择 在电子工程领域,特别是在设计高压电源转换器、电机驱动器和逆变器时,正确选择合适的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)至关重要。P沟道MOS管以其高输入阻抗、低导通电阻以及快速开关速度等特性,在低压至中压...
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- JMV-E积层压敏电阻技术参数与应用领域详解 积层压敏电阻(JMV-E)是一种广泛应用于电子设备中的关键保护元件,其主要功能是为电路提供过电压保护,防止瞬态电压对敏感电子元件造成损害。在现代电子产品中,瞬态电压可能来源于雷击、电源波动或电路开关等现象,这...
- 功率电阻TR50-H TO220 50W参数及应用详解 在电子设备和电力系统中,功率电阻起着至关重要的作用,尤其是在需要消耗或测量高功率的应用场景下。今天,我们将聚焦于一款常见的功率电阻——TR50-H TO220 50W,这款电阻以其优良的性能和广泛的应用领域而受到工程师们的...
- 为什么在零状态条件下,电容在t=0+时可视为短路? 在电路分析中,特别是在讨论暂态响应时,我们会遇到零状态条件下的电容。所谓零状态,是指初始时刻电容两端的电压为零。当考虑电路在施加输入信号的瞬间(即t=0+时),电容由于其存储电荷的能力,在这一时刻可以被视为...
- 聚鼎AMPB-H瞬态抑制二极管车规TVS管参数与应用解析 在现代汽车电子系统中,瞬态电压抑制(Transient Voltage Suppressor, TVS)二极管扮演着至关重要的角色,它们被广泛应用于保护车载电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)、雷击和其他电压瞬变的影响。聚鼎科技推出的...
- 汽车级宽端子贴片电阻CRW..A系列详解 在当今汽车电子技术迅速发展的背景下,汽车级宽端子贴片电阻(CRW..A系列)成为了众多工程师和设计师关注的焦点。这类电阻以其卓越的性能、可靠性和适应性,在汽车电子系统中扮演着不可或缺的角色。下面将详细介绍CRW.....
- 浪涌电阻器SWR.A系列应用与特性详解 浪涌电阻器(SWR.A系列)是电力系统中不可或缺的一部分,主要用于抑制和吸收电网中的瞬时电压冲击,保护电力设备免受损害。这一系列的电阻器在设计上具有诸多优势,适用于多种应用场景,从工业生产到可再生能源发电站,...