预计到2025年GaN RF3器件市场的整体规模将超过20亿美元

日前，市场分析机构YoleDéveloppement发布了2020年第四季度复合半导体季度市场监测报告。根据该报告，GaNRF3器件市场的整体规模到2025年将超过20亿美元。
Yole进一步指出从2019年到2025年，GaNRF的复合年增长率为12％。该市场发展的动力来自电信和国防应用。
Yole的化合物半导体监控团队的技术和市场分析师Ahmed Ben Slimane博士说：“在动态5G基础设施市场中，对更高效天线类型的竞争从未停止。从RRH到AAS的技术转变将把RF前端技术从原来的几条改变。
几条高功率RF产品线已成为大量的低功率RF产品线。同时，Sub-6GHz和毫米波频段中部署的更高频率促使OEM寻求具有更大带宽，更高效率和更好热管理的新型天线技术平台。
在这种情况下，氮化镓技术已经构成了LDMOS8和砷化镓在RF功率应用中的真正竞争。它的性能和可靠性正在不断提高，并且可以实现系统级的成本降低。
随着SiC上的GaN进入4GLTE电信基础设施市场的渗透，预计该技术还将在实施5Gsub-6HzRRH方面保持强势地位。但是，在5Gsub6GhzAAS大型MIMO部署的新兴市场领域中，GaN与LDMOS之间的竞争仍在继续。
尽管具有成本效益的LDMOS技术在6GHz以下频段的高频性能方面继续取得重大进展，但SiC上的GaN可以带来出色的带宽，PAE和功率输出。在谈到GaNRF时，Yole还预测了GaAsRF的未来。
根据他们提供的数据，射频砷化镓芯片的市场规模将从2019年的约28亿美元增加到2025年的36亿美元。推动这一市场增长的因素是对移动5G和WiFi6的需求不断增长手机应用程序。
尤尔指出，随着每部手机上PA含量的不断增加，手机市场已成为砷化镓设备发展的主要动力。一般来说，4GLTE手机需要覆盖多个频段，因此每台手机需要越来越多的功率放大器。
5G技术对PA的需求至少是4G对PA的需求的两倍。此外，对线性和功率的严格要求使砷化镓成为RF FEM中PA材料的理想选择。
他们指出，尽管CMOS可以降低每个芯片的成本，但就模块级别和性能而言，它不一定比GaAs更具优势。 “为了改善移动设备的连接性，Wi-Fi6将从2019年开始进入市场。
” Yole的化合物半导体和新兴材料业务部门的技术和市场分析师Poshun Chiu解释说。他补充说：``一些OEM厂商推出了支持Wi-Fi6的新模型：三星的Galaxy S10在2019年第一季度，苹果的iPhone 11在2019年第三季度，而2020年第一季度，小米成为第一家公司。
拥有拥有Wi-Fi6技术的中国手机公司。与传统解决方案相比，GaAs解决方案因其线性和高功率输出而受到越来越多的关注。
“作为RF组件的领先供应商，Qorvo的这两个产品线都有广泛的布局。首先看一下氮化镓的方面。
根据QorvoFAE经理Xun Ying的较早介绍，Qorvo5G氮化镓的优点是它不仅可以满足市场对频率，带宽和效率的需求，而且可以保证设备的使用寿命。 un莹说：“目前，随着GaN技术市场应用的促进，其成本已经非常适合商业开发。
”为了满足5G的高频需求，Qorvo还协助基站制造商开发氮化镓（GaN）功率放大器。更改并积极部署宏基站和大规模MIMO网络，以促进全球5G基础架构的部署。
un莹进一步指出，从工艺的角度来看，目前，Qorvo可以提供90纳米至0.56米的GaN团队。以高电压和低频范围为例，Qorvo的0.25μm高电压技术（即QGaN25HV）开始发挥作用。
QGaN25HV使我们能够使用0.25µm的器件将电压提高到48V，从而实现了高增益和电源效率。 QGaN25HV非常适合朝6GHz迈进的5G基站。
除氮化镓外，Qorvo在发射端还具有砷化镓产品，而接收端在。