东芝推出40V N沟道功率MOSFET

在汽车应用中，例如DC-DC转换器，电动助力转向系统（EPS）大容量电机驱动器和半导体继电器，东芝推出了40V N沟道功率MOSFET。对于设计人员而言，较低的导通电阻意味着较低的传导损耗，从而降低了功耗，尤其是在重负载下。该新产品使用了东芝最先进的第9代MOS＆ldquo; U-MOS IX Series＆rdquo;。低阻抗TO-220SM（W）封装的沟槽工艺可实现低导通电阻。