基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体（STMicroelectronics）推出了MasterGaN2，作为新系列的双非对称氮化镓（GaN）晶体管系列的首款产品，该GaN集成适用于软开关有源钳位反激式拓扑解决方案。

2021年1月18日，基于MicroMasterGaN®平台的创新优势，意法半导体（STMicroelectronics）推出了MasterGaN2，这是新系列的双非对称氮化镓（GaN）晶体管系列的第一款产品，适用于软开关有源钳位GaN集成解决方案具有位反激式拓扑。

两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻（RDS（on））分别为150mΩ和225mΩ。

每个晶体管都集成了优化的栅极驱​​动器，从而使GaN晶体管像普通硅器件一样方便且易于使用。

MasterGaN2集成了GaN的高级驱动功能和固有的性能优势，可以进一步增强拓扑电路（例如有源钳位反激式转换器）的高能效，小尺寸和轻巧的优势。

MasterGaN功率级封装（SiP）系列在同一封装中集成了两个GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和支持高压栅极驱动器，并内置了所有必要的保护功能。

设计人员可以轻松地将霍尔传感器和外部器件（例如DSP，FPGA或微控制器）直接连接到MasterGaN器件。

输入与3.3V-15V逻辑信号兼容，有助于简化电路设计和物料清单，允许使用更小的电路板，并简化产品安装。

该集成解决方案有助于提高适配器和快速充电充电器的功率密度。

GaN技术正在推动USB-PD适配器和智能手机充电器向快速充电的发展。

ST的MasterGaN器件可使这些充电器的尺寸减小80％，重量减小70％，而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。

内置保护功能包括高端和低端欠压锁定（UVLO），栅极驱动器互锁，专用停机引脚和过热保护。

9mmx9mmx1mmGQFN是为高压应用而优化的封装，高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。

MasterGaN2现在已开始量产。